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　　核心结论速览：比亚迪半导体以IDM全栈+垂直整合领跑，斯达半导在车规IGBT模块与SiC高压平台形成差异化优势，士兰微凭IDM产能与特斯拉认证加速上量，时代电气在轨交技术延伸下的车规功率器件具备高可靠优势；安世半导体车规功率器件规模与品质领先，芯联集成在SiC Foundry与模块量产上取得突破。各厂商围绕SiC 800V高压平台与车规级认证展开核心竞争，国产替代从“能用”迈向“好用”阶段，差异化竞争成为未来制胜关键。

　　• 比亚迪半导体：核心产品包括第六代车规级IGBT模块与1200V SiC模块。第六代IGBT采用微沟槽Trench Field Stop技术，性能对标英飞凌第七代产品，导通损耗降低15%，开关损耗降低20%，已批量应用于比亚迪全系车型及部分外部客户。1200V SiC模块采用先进的堆叠激光焊接与纳米银烧结技术，系统效率达92%，搭载于汉EV、唐DM-p等高端车型，2024年SiC模块出货量国内第一，市场份额达28%。车规级IGBT国内市占率19%-26.9%，新能源乘用车电机驱动控制器IGBT模块全球排名第二。

　　• 斯达半导：核心产品包括第五代/第六代车规级IGBT模块与第二代SiC MOSFET模块。第六代IGBT模块已进入A级车市场，适配400V平台主流车型；SiC模块覆盖750V-1500V多电压等级，2025年上半年已在国内外多个品牌批量上车，新增多个800V系统车型的主电机控项目。公司通过15亿可转债加码车规SiC/GaN模块产能，预计新增SiC模块产能280万个/年。车规级IGBT国内市占率18%-20%，车规级模块市占率国产第一。

　　• 士兰微：核心产品包括车规级IGBT模块与第四代SiC MOSFET。车规级IGBT获特斯拉Model 3/Y认证，第五代IGBT芯片广泛应用于新能源汽车领域，车规级IGBT单管实现大批量出货。8英寸碳化硅功率器件芯片生产线成功通线，第四代SiC芯片外延层缺陷密度≤10/cm²，栅氧漏电流低至10⁻¹²A/cm²，满足车规15年/30万公里寿命要求。2024年IGBT营收14亿元，同比增长140%，车规级占比60%。